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3MBI150SX-120富士IGBT晶体管模块可控硅电源模块质保一年

3MBI150SX-120富士IGBT晶体管模块可控硅电源模块质保一年

  • 类别:富士
  • 价格:1500.00
  • 点击率:3013

上海宣鸿电子科技有限公司主要代理经营世界各国公司生产的电力电子器件,主要包括熔断器功率模块、IGBT模块、可控硅模块、整流桥模块、二极管模块、IGBT单管IGBT驱动电路和驱动板、单三相整流桥模块、IPM模块、PIM模块、GTR达林顿模块快恢复二极管、肖特基二极管等。

主要品牌包括: 巴斯曼、英飞凌、欧派克、日本三社、IXYS艾赛斯、西门康、富士、三菱、新电源、东芝、IR、摩托罗拉、西门子、英达、三肯、三洋、APT、ST等功率模块。


关于型号:本公司为厂家货源直销,因产品众多,部分现货型号后期陆续上架,未上架型号有需要的亲欢迎咨询.




我司代理功率半导体产品及配套器件,IGBT以及配套驱动。公司凭借多年的从业经验、不懈的开拓精神及良好的商业信誉,在电力电子行业树立了良好的企业形象,同时与多家电力电子企业和上市公司长期保持着稳定互信的合作关系,也是众多电子厂商(富士、三菱、英飞凌、西门康,艾塞斯,尼尔,ABB,西玛,三社、宏微等)的诚信代理商和分销商。通过多年的实战经验,公司积累了坚实的功率半导体应用知识为电力拖动、风力发电、电焊机、电力机车等行业提供完善专业的解决方案,为客户提供技术支持!

IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品;封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上;IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点;当前市场上销售的多为此类模块化产品,一般所说的IGBT也指IGBT模块;随着节能环保等理念的推进,此类产品在市场上将越来越多见;IGBT是能源变换与传输的核心器件,俗称电力电子装置的“CPU”,作为 战略性新兴产业,在轨道交通、智能电网、航空 、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。





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