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西门康

SKM100GB128DE IGBT西门康三相可控硅模块

SKM100GB128DE IGBT西门康三相可控硅模块

  • 类别:西门康
  • 价格:200.00
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对于IGBT的门极所需的驱动功率的大小计算,我们经常在拿到IGBT规格书的时候会根据其中的Qg或者输入电容
  Ciss(Ciss=Cge+Cgc)做一个大致的计算,P=Qg*ΔVge*f或者P=Ciss*5*ΔVge?*f,今天我们就来聊聊IGBT驱动器驱动功率的计算。
  关于IGBT的使用,我们在评估完IGBT本身特性参数的时候,可以重要的就是驱动器的选择和设计了,此时我们经常会遇到,如Datasheet描述的参数不是太充分,驱动电阻应该如何选择(这个一般IGBT厂家都会有一个推荐值,在其附近选取,再根据实际情况进行调整)等等一些不确定因素或者问题,在这之前,我觉得对于一个驱动器的设计,重要的因素还是其驱动功率,这一点达不到,其他因素都没有意义了。
  1.
  确定门极电荷Qg和门极电容
  对于设计一个驱动器来说,重要的参数莫过于门极电荷Qg的大小,同时确定实际的门极输入电容Cies的大小,因为Datasheet中给到的输入电容大小一般是个参考值,确定实际门极输入电容是一重要意义的。
  我们可以通过测量门极的充电过程来确定实际输入结电容Cin的大小。首先,在负载端没有输出电压的情况下,我们可以进行下面这样的计算:
  门极电荷Qg=∫idt=C*ΔV
  确定了门极电荷Qg之后,我们可以通过门极充电过程中的门极电压上升过程,示波器可以测量出ΔV,那么利用公式可以计算出实际的门极输入电容
  Cin=Qg/ΔV
  这里的测得的实际输入结电容Cin在我们的设计中是具有很大意义的。
  2.
  关于Ciss
  在IGBT的Datasheet中,我们经常会看到一个参数Ciss,在实际电路应用中,这个参数其实并不算一个很有用的参数,是因为它是通过电桥测得的,由于测量电压太小而不能达到门极的门槛电压,实际开关过程中的miller效应并没有能包涵在内。在测量电路中,一个25V的电压加在集电极上,在这种测量方法下测得的结电容要比Vce=0的时候要小一些,因此,规格书中的Ciss这个参数一般用于IGBT相互做对比时使用。
  一般我们使用下面的经验公式根据规格书的Ciss来计算输入电容Cin的大小
  Cin=5Ciss
  3.
  驱动功率的计算
  接下来让我们看看应该如何来计算驱动功率。
  在输入结电容中存储的能量可以通过如下公式计算:
  W=1/2*Cin*ΔU?
  其中,ΔU是门极上上升的整个电压,比如在±15V的驱动电压下,ΔU就是30V。
  在每个周期,门极被充电两次,一个IGBT所需的驱动功率我们可以按下式计算:
  P=f*Cin*ΔU?
  如果门极电荷先前通过测量得到了,那么
  P=f*Qg*ΔU
  这个功率是每个IGBT驱动时所必须的,但门极的充放电时基本没有能量损失的,这个功率实际上损失在驱动电阻和外部电路中。当然,设计时还需要考虑其他方面的损耗,比如供电电源的损耗。
  4.
  驱动电流的计算
  驱动器的输出电流必须大于等于实际所需要的门极驱动电流,计算公式如下:
  Ig,max=ΔU/Rg,min
  ΔU是整个门极上升电压,而Rg,min是电路中选取的驱动电阻。


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